大家好，我是痞子衡，是正经搞技术的痞子。今天痞子衡给大家讲一下英飞凌MirrorBit工艺NOR Flash的扇区架构设计。

NOR Flash内部分为Page（128B/256B/512B）、Sector（4KB）、Block（32KB/64KB/128KB/256KB）、Chip。其中Page是编程单元，Sector/Block/Chip是擦除单元。Flash提供了不同大小的单元粒度，为需要数据和参数存储的应用程序提供更大的灵活性。

最近在支持RT1170客户过程中遇到了一些关于英飞凌NOR Flash S25HL512T擦除的问题。英飞凌的S25HL512T擦除单元设计与其他Flash有一定特别之处，而本文将对其进行介绍。

一、英飞凌NOR Flash系列

英飞凌主流NOR Flash系列包括四种接口：Parallel/QSPI/Octal/HyperBus，及三种工艺：45nm MB/65nm MB/65nm FG，其中65nm FG工艺的QSPI Flash S25FL064L与其他厂家的NOR Flash有较大不同，而其他型号均使用45/65nm MB工艺。MirrorBit（MB）工艺是Spansion公司主推的一种闪存技术，通过让一个基本存储单元CELL存储两个比特位，实现容量增倍的目的。

MB工艺的优缺点是容量大、价格便宜、擦写快，但可靠性较差，高温下容易发生bit反转导致数据错误，但这可以通过增加ECC特性来改善。

二、MirrorBit下不一样的扇区架构

以英飞凌S25HL512T型号为例介绍其扇区架构设计。S25HL512T提供了三种不同的扇区配置选项，用户可根据项目实际情况按需配置（设置Flash相应配置寄存器）。

相关Flash寄存器位包括CFR3[3]、CFR1[6]、CFR1[2]。

配置选项一：仅第一个Block能拆分出Sector。在这种情况下，Flash第一个Block（256KB）里会包含32个4KB的Sector，其余Block无法拆分。

配置选项二：仅最后一个Block能拆分出Sector。在这种情况下，Flash最后一个Block（256KB）里会包含32个4KB的Sector，其余Block无法拆分。

配置选项三：第一个和最后一个Block能拆分出Sector。在这种情况下，Flash第一个和最后一个Block（256KB）内均会包含16个4KB的Sector。

配置选项四：所有Block均无法拆分。在这种情况下，Flash所有Block（256KB）均无法拆分。

MirrorBit工艺下的Flash扇区架构相比FG工艺Flash在粒度划分上要粗糙得多，灵活性降低了，在程序设计和下载算法上需要特别考虑。

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